DGIST, 레이저로 산화물 반도체 성능·안정성↑

권혁준 교수팀, IGZO 새 기술 접목 성공

[대구=뉴시스] 박준 기자 = 대구경북과학기술원(DGIST)이 레이저를 활용해 산화물 반도체의 성능과 안정성을 높이는 기술을 개발했다.

이 기술은  DGIST 전기전자컴퓨터공학과 권혁준 교수 연구팀에 의해 고안됐다.

11일 DGIST에 따르면 연구팀은 차세대 메모리 소재로 주목받는 산화물 반도체 IGZO(인듐·갈륨·아연 산화물)를 새로운 기술에 접목했다.

IGZO는 누설전류가 적고 반도체 제조 공정과의 호환성이 높지만 동작 안정성을 높이면 전류 구동 성능이 저하되거나 전극 접촉 저항이 증가하는 한계가 있다.

연구팀은 이를 해결하기 위해 반도체 상부의 금속 게이트에 레이저를 선택적으로 조사하는 국부 레이저 어닐링(레이저로 발생한 열을 활용해 전류가 흐르는 채널의 결함을 줄이고 전류가 드나드는 전극 접촉부의 저항을 낮추는 방식) 기술을 적용했다.

이를 통해 복잡한 추가 공정없이 반도체의 성능과 안정성을 함께 개선했다.

한편 재료과학 분야 세계적 학술지인 어드밴스 펑셔널 머테리얼(Advanced Functional Materials) 10월21일 게재된 이번 연구에는 권시현 석사과정생이 제1저자로, 권혁준 교수가 교신저자로 참여했다.

또 삼성전자 산학 연구, 과학기술정보통신부 개인기초연구사업(핵심) 및 교육부 대학중점연구소지원사업의 지원을 받아 수행됐다.


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