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RFaxis, 와이파이 기반의 휴대폰용 CMOS RF 프런트엔드 기술에서 돌파구 마련

등록 2012.05.17 09:31:51수정 2016.12.28 00:40:57

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【어바인(미 캘리포니아주)=BW/뉴시스】

-- 백서, 공존 와이파이와 3G/LTE 작동으로 크게 개선된 RF 성과와 배터리 효율을 입증 --  

무선연결 및 이동통신 시장을 위한 혁신적인 차세대 RF 솔루션에 집중하는 팹리스 반도체 기업인 RFaxis는 ‘휴대폰 용의CMOS 와이파이 프런트엔드 제1부’(CMOS Wi-Fi RF Front-Ends for Mobile Handset Applications Part-I)라는 제목의 RF 프런트엔드 기술에 대한 백서를 금일(16일) 발간했다. 이 백서는 듀얼모드 와이파이/셀룰러 단말기 설계를 위한 RF-관련 기술 문제를 다룬 3개 부문 중 1부에 해당한다. 또 이 백서는 오늘날 RF/무선 공동체가 직면한 핵심 이슈를 최소화 하기 위해 RFaxis가 개발한 일부 기술적 솔루션을 다루고 있다.
 
린리 그룹(Linley Group)에 따르면 스마트폰은 2014년까지 6억 대가 출하될 것으로 예상되며 성장이 가장 빠른 무선 시장 부문 중 하나로 성장할 것이다. 이러한 최신 모바일 기기는 동시적 3G/LTE 운영과 와이파이 접속이 가능해 사용자들은 음성전화를 위한 셀룰러 네트워크에 접속하면서 동시에 인터넷을 검색하거나 와이파이 네트워크를 통해 데이터 파일을 다운로드 할 수 있다. 공간이 좁은 휴대폰 내부에서 각기 다른 라디오의 동시 운영은 구성명세서(BOM) 비용이 감소하는 가운데 손색없는 성능을 구현할 수 있는 RF 설계에 큰 부담이 되고 있다. 

이 새로운 RFaxis 백서는 종합적인 검사 데이터와 여러 상위 벤더의 UMTS/WCDMA 수신 밴드(Band-1, 2.11-2.17GHz)에서 각기 다른 와이파이 전력증폭기와 프런트엔드 모듈에서 발생하는 잡음 요인 비교를 제공한다. RF/무선 업계는 GaAs HBT, GaAs pHEMT, BiCMOS SiGe HBT와 가장 최근 벌크 RF CMOS 등 수년 동안 다양한 재료/공정 기술에 기반해 PA/FEM를 개발했다. 이번 백서의 핵심 내용은 다음과 같다.

- WCDMA 수신밴드의 총 잡음전력은 벌크 CMOS를 제외한 모든 기술에 적용가능한 WLAN 송신 전력 수준으로 증가할 수 있으며, 이로 인해 높은 WLAN 출력 신호 수준에서 미미한 변화 또는 소폭 감소한 잡음전력이 나타난다.

- GaAs 또는 SiGe HBT 기반 솔루션을 위한 30-35dB수준의 고 차단에 대한 요구로 인해 더욱 값비싼 공존 필터와 와이파이 수신감도 저하, 송신망의 전류 소모 증가 등이 발생한다. 

- RFaxis의 CMOS 기반의 Wi-Fi RF 프런트엔드 IC(RFeIC)는 PA 출력에서 1.0-1.5dB의 보다 적은 선형전력을 요구하며, 이로 인해 전류소모가 눈에 띠게 줄어든다. 또 CMOS 기반의 Wi-Fi RF 프런트엔드 IC는 동일한 전력으로 와이파이 시스템의 수신감도 개선을 도모한다.

크세노폰토프 고르바초프(Dr. Oleksandr Gorbachov) RFaxis 최고기술책임자는 “보다 많은 모바일 기기가 3G/4G 셀룰러와 와이파이의 동시작동을 요구하고 있는 가운데, 대역내 삽입손실, 대역 외 배제, 미니 부품 사이즈, 최저가 등 역행적 기준 및 공존 필터의 성능과 비용구조 개선에 대한 수요도 늘어나고 있다”며 “우리는 RF CMOS의 독특한 기기/공정 특성과 원천개발 설계 방법을 극대 활용해 이러한 문제에 대안적인 해결책을 찾아냈고, 와이파이 PA 잡음누설을 WCDMA 수신대역까지 대폭 낮춰, RF 시스템 설계자들은 극도로 이완된 사양과 공존 필터를 이용할 수 있게 된다. 이로 인해 BOM 비용이 감소될 뿐만 아니라 와이파이 성능까지 개선된다”고 말했다.

RFaxis의 마이크 네샷(Mike Neshat) 회장 겸 최고경영자는 “무선 공동체와 이러한 결과물을 공유하고, OEM/ODM 고객들에게 바로 준비된 솔루션을 제공하게 돼 무척 기쁘다. 이는 RFaxis 팀이 거둔 또 다른 획기적인 성과로, RF CMOS가 스마트폰, 태블릿, 울트라북 등 오늘날 가장 진보한 무선 제품이 요구하는 가장 까다로운 RF 프런트엔드 사양에 부합할 수 있는 차세대 솔루션이 되고 있다”라고 말했다. 

▲ RFaxis(RFaxis, Inc.)에 대하여

2008년 1월 창립된 RFaxis는 캘리포니아 주 어바인에 본사를 둔 RF 반도체 설계 개발 전문기업이다. 자사의 특허기술들로 수십억 달러 규모의 블루투스, WLAN, 802.11n/MIMO, 지그비(ZigBee), AMR/AMI, 비디오 스트리밍 시장용 차세대 무선 솔루션 분야를 선도하고 있다. 순 CMOS를 활용하고 자사가 보유한 혁신적 접근, 특허기술, 거래비법이 결합되어 세계 최초의 RF 프런트-엔드 통합회로(RFeIC)의 본산이 되었다. 추가정보는 홈페이지www.rfaxis.com에서 찾아볼 수 있다.
 
[본 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.]

▲ 연락처:

기업 연락처:
RFaxis, Inc.
용시 키안(Yongxi Qian), 949-825-6311
[email protected]

또는
매체 연락처:
셸튼 그룹(Shelton Group)
케이티 올리비에(Katie Olivier), 972-239-5119 x 128
[email protected]

또는
사라 던(Sarah Dunn), 972-239-5119 x 139
[email protected]

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