메모리 슈퍼 사이클, 변수는 中…첨단 D램 공세 주목

CXMT, 최신 저전력 D램 양산 공식화

고속·초박형·HBM 등 제품 출시 예고

내년 상장…생산능력 확대가 최대 변수

[서울=뉴시스]이인준 기자 = 인공지능(AI)으로 인해 메모리 수요가 공급을 크게 압도하는 상황이 지속되는 가운데 중국이 생산능력을 확장하고 있어 이번 장기 호황의 최대 변수가 될 전망이다.

5일 업계에 따르면 중국 D램 업체인 CXMT는 최근 홈페이지를 통해 최신 저전력 D램(LPDDR5X)의 양산을 공식화했다.

이 업체는 12Gb와 16Gb의 용량으로 최대 10.7Gbps(기가비피에스) 속도를 구현했다고 밝혔다. 이는 지난해 10월 SK하이닉스가 출시한 제품의 속도와 동등한 수준이다.

CXMT는 또 신제품이 기존 LPDDR5 대비 성능이 66% 향상됐으며, 전력 소모는 30% 절감한다고 밝혔다.

이 회사는 앞서 LPDDR5X의 8.5Gbps, 9.6Gbps 등 저속 제품을 지난 5월부터 양산 중이라고 밝혔는데, 이제 고성능 제품으로 제품군을 확장하고 있다. CXMT가 2023년 LPDDR5를 공식 상용화한 이후 불과 2년 만에 LPDDR5X까지 출시하며 기술력을 끌어올리는 모습이다.

LPDDR5X는 전력 효율에 강점이 있어 스마트폰은 물론 AI 서버와 온디바이스 AI 등 AI 추론용 단말기에 필요한 솔루션으로 주목받는 메모리다.

외신 등에 따르면 CXMT는 지난달 중국 쿤밍에서 열린 반도체 학회 행사를 통해 초박형 저전력 D램도 개발 중이라고 밝혔다.

초박형 D램은 두께를 줄여 제품의 경쟁 요소를 삼으려는 스마트폰, 노트북 등 고객사의 높은 관심을 받고 있는 분야로 삼성전자가 지난해 8월 업계 최소 패키지 두께인 '0.65㎜'를 구현했다. CXMT가 예고한 신제품은 0.58㎜로, 이보다 더 얇을 것으로 보인다.

CXMT는 고대역폭메모리(HBM) 시장 진출도 시도하고 있다.

CXMT는 최근 화웨이에 4세대 HBM인 HBM3 샘플 공급을 시작했다. 올해 말로 예상된 샘플 공급 개시 일정을 2개월 이상 앞당긴 것이다.

이어 내년 초 HBM3 대량 생산을 준비하는 것으로 알려졌다. 2027년에는 현재 주력 HBM인 HBM3E(5세대)를 양산하겠다는 계획을 세웠다. 이는 SK하이닉스 등 글로벌 선도 업체보다 3~4년가량 격차가 있다. 하지만 업계 관계자는 "CXMT가 삼성전자, SK하이닉스 등 한국 기업과의 기술 격차를 빠르게 좁히고 있다"고 평가했다.

모건스탠리 "슈퍼사이클 변수, 中 CXMT와 경쟁 심화"

모건스탠리는 최근 메모리 시장이 AI 수요가 이끄는 슈퍼사이클(초호황기)에 진입했다고 평가하면서도, 다운 사이클의 변수 중 하나로 중국 업체 CXMT와 경쟁 심화를 꼽았다.

트렌드포스에 따르면 CXMT의 올해 2분기 D램 점유율은 4.4%로 1분기(4.1%)보다 0.3%포인트 확대되며 업계 4위로 도약했다.

특히 구형 D램 시장에 머물지 않고, DDR5 등 최신 규격의 D램 생산능력을 확보하기 위한 투자를 지속하고 있다.

업계에 따르면 CXMT는 내년 1분기 상하이 증시 상장을 통해 400억위안(8조원)을 조달할 계획으로 알려졌다. 투자금은 중국의 메모리 자립을 위한 생산능력 확대에 투입될 전망이다. 카운터포인트리서치는 CXMT의 D램 시장 점유율이 올해 연간 기준 7%로 상승한 뒤 2027년에는 10% 수준까지 확대될 것으로 전망했다.

다만 미국의 수출 규제 도입 이후 첨단 D램 생산을 위한 장비 확보에는 어려움이 크다.

미국 매체 내셔널 인터레스트에 따르면 중국 엔지니어들은 네덜란드 ASML의 리소그래피(노광기) 장비의 작동 원리를 알기 위해 장비를 분해해 분석하던 중 시스템 복구에 실패, ASML에 기술 지원을 요청한 것으로 알려졌다. 반도체 장비의 정밀도가 높아 모방이 쉽지 않다는 것을 보여주는 대목으로 평가받는다.


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