'절치부심' 삼성전자, HBM4 양산·출하 앞서나간 결정적 배경은?

등록 2026.02.12 16:24:17

HBM4 양산 출하…엔비디아 공급망 진입

1c D램·4나노 등 선단 공정 주효한 듯

수율 지속 안정 여부, 향후 시장 좌우할 듯

[서울=뉴시스] 삼성전자는 12일 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하했다고 밝혔다. 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다. (사진=삼성전자 제공) 2026.02.12. [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 삼성전자가 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 양산 출하에 성공하면서 초기 HBM4 시장에서 유리한 고지에 오르게 됐다.

전작인 5세대 'HBM3E' 때와는 달리 삼성전자가 엔비디아 공급망에 빠르게 진입할 수 있었던 배경에 대해 업계의 이목이 쏠린다.

경쟁사들보다 앞선 최선단 제품인 '1c D램'을 활용하는 동시에, 공정의 수율(양품비율)까지 끌어올린 점이 주효하게 작용한 것으로 평가된다.

12일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 고객사에 양산 출하했다.

삼성전자는 지난해 말부터 고객사의 HBM4 샘플을 전달해 인증 절차를 밟아왔으며 해당 검증을 통과해 이날부터 공식 출하를 시작했다. 해당 고객사는 엔비디아로 추정된다.

삼성전자가 이번에 출하한 HBM4는 엔비디아가 내달 공개할 차세대 인공지능(AI) 가속기 '베라 루빈'에 탑재될 전망이다. 이는 SK하이닉스 등 경쟁사 대비 한발 앞선 행보로 평가 받는다.

업계에서는 삼성전자가 SK하이닉스와 마이크론 등 메모리 경쟁사들에 앞서 HBM4 양산 출하에 성공한 요인에 주목하고 있다.

먼저 삼성전자가 최선단 공정을 선제적으로 도입한 점이 주효했다는 분석이다. 삼성전자는 최선단 제품인 '1c D램'을 수직으로 쌓아서 HBM4를 제조한다.

1c D램은 기존 '1b D램'에 비해 더 미세 공정을 활용하는 만큼 데이터 처리 속도가 빠르고 전력 효율도 더 개선됐다. 또 1c D램은 1b D램에 비해 제조 비용이 더 많이 들어가는데도 불구하고 삼성전자는 HBM4의 성능 개선에 초점을 맞춘 것으로 보인다.

1b D램은 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 활용하고 있다.

이와 함께 삼성전자는 파운드리 선단 공정인 4나노 공정을 활용한 점도 HBM4 성능 개선에 영향을 미친 것으로 관측된다.

삼성전자는 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했다. 베이스 다이는 HBM 적층 구조의 가장 아래에 위치해 전력·신호를 제어하는 기반 칩이다.

이 같은 선단 공정을 통해 삼성전자 HBM4는 제덱(국제반도체표준협의기구·JEDEC) 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했다.

특히 삼성전자가 선단 공정을 활용하면서도 공정의 수율을 개선한 점도 유의미한 것으로 평가 받는다. 삼성전자는 이날 "양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다"고 설명했다.

그 동안 업계에서는 삼성전자가 경쟁사보다 앞선 선단 공정을 활용하는 만큼 수율이 발목을 잡을 수 있다는 전망이 있었지만, 이 같은 우려를 불식시킨 것이다.

황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보해, 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"고 말했다.

다만, 일각에서는 삼성전자가 초기 출하 성과를 점유율 확대 및 장기 공급으로 이어가기 위해서는 안정적인 수율과 품질을 유지해야 할 것이라는 목소리도 나온다.