삼성전자, 7세대 HBM4E 5월 검증 나서…SK하이닉스, TSMC 협력 대응

삼성, 5월 'HBM4E' 샘플 고객사 전달해 주도권 굳히기

SK, TSMC와 3나노 협력 강화… 내년 본격 양산 맞불

[서울=뉴시스]남주현 기자 = AI(인공지능) 반도체 시장의 핵심인 고대역폭메모리(HBM) 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 격돌이 7세대 제품인 HBM4E로 옮겨붙고 있다.

삼성전자가 내달 7세대 샘플을 주요 고객사에 전달해 본격적인 성능 검증 절차에 돌입하는 가운데, SK하이닉스는 파운드리 파트너십을 통해 차세대 제품 준비를 이어가고 있다.

20일 업계에 따르면 삼성전자는 오는 5월 7세대 HBM인 HBM4E의 첫 번째 샘플 생산을 완료해 엔비디아 등 주요 고객사에 검증용 샘플을 전달할 계획이다.

6세대 HBM4를 업계 최초로 양산 출하한 데 이어, 차세대에서도 경쟁사보다 앞서 결과물을 선보이며 시장 주도권을 확보하겠다는 전략이다.

지난 3월 정기 주주총회 전시관에서 HBM4E 실물 칩을 공개했던 삼성은 이번 샘플 전달을 통해 실제 고객사의 가속기 환경에서 성능을 확인받는 ‘퀄 테스트’ 단계에 진입하게 된다.

[수원=뉴시스] 김종택 기자 = 18일 경기 수원시 영통구 수원컨벤션센터에서 열린 '제57기 삼성전자 정기주주총회'에서 주주들이 HBM4, HBM4E 메모리를 보고 있다. (공동취재) 2026.03.18. [email protected]

삼성의 HBM4E는 10나노급 6세대(1c) D램과 4나노 파운드리 공정을 적용한다.

특히 적층 단수를 기존 12단에서 16단으로 높여 데이터 처리 능력을 극대화했으며, 전력 효율을 최적화한 '에코(Eco)' 기술이 적용되는 것이 특징이다.

이에 맞서는 SK하이닉스는 TSMC와의 동맹을 통해 차세대 HBM의 핵심인 베이스 다이에 3나노 로직 공정 도입을 추진 중인 것으로 알려진다.

SK하이닉스는 HBM4 공급 완성도를 높이는 데 집중하고 있으며, 10나노급 1c D램과 TSMC 공정을 조합한 HBM4E는 2027년 본격 양산할 것으로 전해진다.

양사의 재격돌은 엔비디아가 올해 하반기 공개할 '루빈'의 성능 강화 버전인 '루빈 울트라'와 그 후속 모델이 될 전망이다.

'루빈'에는 6세대 HBM4가 탑재되지만, 삼성전자가 이번에 샘플을 제출하는 7세대 HBM4E는 성능을 한 단계 더 끌어올린 차차세대 가속기의 핵심 메모리로 꼽힌다.

HBM3에서 고전했던 삼성전자가 HBM4에서의 재도약을 발판 삼아 7세대까지 승기를 이어갈지, SK하이닉스가 TSMC와의 협업을 통해 추격에 나설지가 관전 포인트다.

반도체 업계 전문가는 "차세대 HBM에서는 메모리 성능과 함께 16단 적층 수율, 파운드리와의 협력이 승부처가 될 것"이라고 말했다.


◎공감언론 뉴시스 [email protected]