이정배 사장 "삼성 메모리, 앞으로 나아가고 있다"

생성형 AI 수요로 흑전…이제 온디바이스 AI 시대 열려

"첨단 신제품 지속 투자해 시장 리더십 확보에 최우선"

[서울=뉴시스]이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가고, 앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대를 준비하겠다는 포부를 밝혔다.  *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이인준 기자 = 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 3일 "삼성전자가 최근 발표한 2024년 1분기 실적이 시사하는 바가 하나 있다면, 우리 사업이 긍정적인 신호를 받고 있으며 앞으로 나아가고 있다는 것"이라고 밝혔다.

이 사장은 이날 자신의 사회관계망서비스(SNS)를 통해 "생성형 AI에 사용되는 DDR5와 고용량 SSD 등 삼성메모리 제품에 대한 수요 증가에 힘입어 5분기 만에 흑자 전환을 달성했다"며 "수요에 적시에 대응한 임직원들의 노력이 만들어낸 놀라운 성과"라고 밝혔다.

그는 "그러나 우리는 새로운 국면으로 접어든 AI 시대에 계속 대응해야 한다"며 "업계에서는 이미 2분기에도 서버 및 스토리지 기반 메모리 제품에 대한 강력한 수요가 지속될 뿐만 아니라 온디바이스 AI 경험을 강화하는 데 도움이 될 수 있는 메모리 제품에 대한 수요도 증가하고 있다"고 강조했다.

특히 "개별 디바이스 내에서 AI 연산이 수행되는 온디바이스 AI 시대가 시작될 예정"이며 "삼성전자는 메모리 산업의 선두주자로서 HBM(고대역폭메모리), DDR, LPDDR(저전력 D램) 등 첨단 신제품에 지속적으로 투자해 향후 트렌드에 맞춰 시장 리더십을 공고히 하는 것을 최우선 과제로 삼고 있다"고 밝혔다.

이어 "혁신적인 메모리 솔루션을 통해 고객의 요구를 충족시키기 위해 적응하고 진화하기 위해 노력하겠다"고 덧붙였다.


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