SK하이닉스, 용인 팹 내년 초 조기 가동 추진

용인 1기 팹 조기 가동 방안 추진

내년 초로 가동 시점 앞당겨지나

글로벌 AI 칩 수요에 적극 대응

[서울=뉴시스]SK하이닉스가 26일 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 9조4115억원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다. (사진=SK하이닉스 제공) [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이지용 기자 = SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터 신규 공장의 조기 가동을 적극 추진할 계획이다. 당초 내년 5월로 예상됐던 가동 시점을 내년 초로 앞당기는 방안을 검토하는 것이다.

15일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 용인 반도체 클러스터에 건설 중인 1기 팹(공장)의 가동 시점을 수 개월 이상 단축하기 위해 다각도로 검토 중이다.

SK하이닉스는 원래 내년 5월 1기 팹을 신규 가동할 예정이었다. 하지만 전 세계 인공지능(AI) 반도체 시장 확대로 고대역폭메모리(HBM)·서버용 D램 수요가 급증하며 조기 가동을 적극 추진한다는 방침이다.

1기 팹의 활용 방안은 아직 정해지지 않았지만 HBM, D램 등 AI 반도체 생산라인이 들어갈 것으로 보인다.

이에 내년 초에는 1기 팹이 첫 가동에 들어갈 수 있다. 최소 2~3개월가량 가동 시점이 앞당겨질 수 있는 것이다.

SK하이닉스는 지난해 3분기 실적발표 콘퍼런스콜(전화회의)에서도 향후 일정을 가능한 범위 내에서 앞당기도록 노력하겠다고 밝힌 바 있다.

최근에는 류성수 SK하이닉스 미주법인장은 외신 인터뷰에서 용인 1기 팹 가동 시점을 기존보다 3개월 앞당긴 2월로 잡을 것이라고 발언했다.

SK하이닉스가 용인 1기 팹의 조기 가동에 성공하면 급증하는 글로벌 AI 메모리 수요에 한층 신속하게 대응할 수 있다. 또 빅테크 고객사의 차세대 메모리 공급망 진입에도 유리해진다.

SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 산업단지에 4개의 팹을 건설할 예정이다.


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