"中 낸드 공세 맞선다"…삼전·닉스, 현지 공장 경쟁력 강화 총력

"고성능 칩 수요 속 삼전·닉스 中 공장 개선"

최신 공정 도입 및 장비 반입 추진

中 YMTC 추격에 현지 생산 경쟁력 강화

[서울=뉴시스]삼성전자 중국 시안 반도체 공장. (사진=삼성전자 제공) 2021.12.29. [email protected]

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 최근 중국 기업들의 메모리 추격이 거세지고 있는 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 생산거점의 경쟁력 강화에 힘을 쏟고 있다.

미국의 대중국 반도체 제조장비 반입 규제가 있지만 미국과의 협의 하에 가능한 범위 내에서 필요한 최신 장비를 도입하고, 공정을 개선해 생산 칩의 성능을 끌어올리는 모습이다.

21일 업계 및 외신에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 글로벌 빅테크들의 요구에 맞춘 제품을 생산하기 위해 중국 내 낸드플래시 생산 거점의 최신화를 추진하고 있다.

삼성전자는 중국 시안 공장에서 200단 낸드를 생산하는데, 이보다 더 높은 단수의 제품을 만들기 위해 최신 공정으로의 전환을 추진하는 것으로 알려졌다.

업계에서는 삼성전자가 이 곳에서 향후 286단 9세대(V9) 낸드를 생산할 것이라는 관측을 내놓고 있다.

시안 공장은 삼성전자 전체 낸드 생산량의 40%를 담당하고 있다.

기존 공장의 생산능력을 확대하거나 신규 시설을 건설하는 대신 공정 전환을 통해 고성능 제품의 생산 비중을 높일 것으로 보인다.

SK하이닉스도 중국 다롄 공장에서 200단 이상의 낸드를 생산하는 방안을 검토 중인 것으로 전해진다. 기존에는 다롄 공장에서 192단 낸드를 생산해왔다.

SK하이닉스의 낸드 손자회사인 솔리다임은 다롄 공장의 노후 장비를 최신 장비로 교체해 공정 효율을 높이고 있다.

또 지난 2023년 완공됐지만 장비 설치가 끝나지 않은 다롄 사업장 내 '모드 B(Mod B)' 공장에도 최근 새로운 장비가 반입되고 있다.

삼성전자와 SK하이닉스는 미국 정부와의 협의 하에 중국 공장의 공정 최신화, 장비 반입 등을 진행하고 있다.

미국 정부는 첨단 반도체 제조에 필수적인 '극자외선(EUV) 노광장비'의 중국 반입을 전면 금지하고 있는데, 낸드의 경우 D램과 달리 통상 EUV 장비가 없이도 첨단 제품을 만들 수 있다.

[서울=뉴시스]SK하이닉스 세계 최고층 321단 1Tb TLC 4D 낸드. (사진=SK하이닉스 제공) 2024.11.25. [email protected] *재판매 및 DB 금지

양사가 생산하는 첨단 낸드는 글로벌 주요 빅테크들에 공급되고 있다.

양사가 중국 생산 거점의 경쟁력을 높이는 배경에는 글로벌 빅테크들의 첨단 낸드 수요 확대가 있다.

인공지능(AI) 데이터센터 투자가 급증하면서 고성능 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)에 사용되는 낸드 수요도 빠르게 늘고 있다.

하지만 메모리 기업들의 생산능력은 이를 충족하지 못하고 있는 상태다.

이 때문에 삼성전자와 SK하이닉스는 중국 공장에서도 고성능 낸드 생산을 확대할 필요성이 커지고 있다는 분석이다.

현지 낸드 기업들의 거센 추격도 또 하나의 요인으로 꼽힌다.

시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 2분기 중국 양쯔메모리(YMTC)의 출하량 점유율은 14%를 기록해 처음으로 글로벌 톱3에 올랐다. 1위 삼성전자와 2위 SK하이닉스를 바짝 추격 중이다.

YMTC는 올 하반기 300단 이상의 첨단 낸드 양산에 나설 것으로 전망된다.

이처럼 중국 기업이 낸드 시장에서 영향력을 확대하자, 삼성전자와 SK하이닉스도 현지 생산 거점의 경쟁력을 높여 대응에 나서는 모습이다.

업계에서는 그동안 국내 기업들의 중국 공장이 범용 제품 생산 위주에 머물러 있던 탓에 중국 기업과의 시장 점유율 격차가 줄어들고 있다는 분석을 내놓고 있다.

YMTC와 SK하이닉스의 점유율 격차는 8%포인트(p)에 불과하다. 삼성전자와는 11%p의 격차가 있다.

업계 관계자는 "AI 성능 향상에 중국 공장에서도 고성능 제품을 만들 필요가 커졌다"며 "한국 및 미국 뿐 아니라 중국 내 생산 거점의 역할도 중요해지고 있다"고 전했다.


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