SK키파운드리, SiC 전력칩 본격 개발…내년 양산 목표

1200V급 SiC MOSFET 공정 연내 완료

전기차·신재생에너지 등 고효율 시장 겨냥

고객 맞춤형 SiC 솔루션 위한 전담조직 신설

[서울=뉴시스]이인준 기자 = SK키파운드리가 차세대 화합물 전력반도체 시장 공략에 속도를 내고 있다고 12일 밝혔다.

실리콘(Si)을 대체할 차세대 소재로 주목받는 실리콘카바이드(SiC) 기반 공정 기술 개발을 연내 완료하고, 내년 상반기부터 본격적인 파운드리 양산에 돌입한다는 계획이다

SK키파운드리는 올해 말 SiC MOSFET 1200V 공정 기술 제공 및 2026년 상반기 내 SiC 기반 전력반도체 파운드리 사업 시작을 목표로 개발 중이다.

전기차 구동 시스템, 산업용 전력변환장치, 신재생에너지 인버터 등 고전압·고효율 응용 분야를 중심으로 공정 기술을 확대할 계획이다.

이를 위해 SK키파운드리는 공정 최적화와 신뢰성 평가 프로세스를 강화하는 한편, 고객 맞춤형 SiC 솔루션 제공을 위한 전문 조직도 신설했다.

이동재 SK키파운드리 대표는 "고전압·고효율 화합물 전력반도체 응용 분야에서 차별화된 기술 리더십을 구축해 나가겠다"고 밝혔다.

화합물 반도체는 두 개 이상의 원소로 구성된 반도체로, 실리콘반도체보다 전력 성능과 효율이 높아 성장성이 클 것으로 기대된다. SK키파운드리는 SK하이닉스의 자회사로, 최근 SiC 분야 핵심 기술력을 보유한 SK파워텍을 인수했다.


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