삼성전자·SK하이닉스, '세미콘 타이완' 참여…'AI 메모리' 병목 해소 청사진 제시한다

'zHBM·CXL' 등 메모리 병목 해소 기술 공개

TSMC 등 대만 현지 기업과도 협력 논의 전망

구글·마이크론 등도 AI 메모리 로드맵 소개

[서울=뉴시스] 삼성전자의 FMS 2026 하이라이트 존에 전시된 zHBM 목업. (사진=삼성전자 제공). 2026.08.07. [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 삼성전자와 SK하이닉스가 아시아 최대 반도체 전시회 '세미콘 타이완 2026'에서 메모리 병목 현상을 해소하고 데이터 처리 효율을 대폭 늘리기 위한 차세대 기술들을 소개한다.

1일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 오는 2~4일 대만 타이베이 대만 타이베이 난강전시센터에서 열리는 세미콘 타이완 2026에서 각사의 차세대 메모리 기술 청사진을 제시한다.

최근 인공지능(AI) 시장이 학습에서 추론으로 빠르게 확장되고 데이터 처리량이 폭증하고 있지만, 메모리 성능은 이를 따라가지 못하는 '메모리 병목' 현상이 뚜렷해지고 있다.

양사의 메모리 기술 임원들은 이 같은 문제를 해결하고 글로벌 빅테크들의 수요에 대응하기 위한 방안을 내놓는다.

최장석 삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장(상무)은 '3D 통합으로 AI 시대를 이끌다'라는 주제로 기조연설을 한다.

그는 이 자리에서 차세대 메모리 기술인 'zHBM', 'zNAND(낸드)-O', '3D 패키지'의 기술 개발 현황 및 사업화 계획 등에 대해 설명할 예정이다.

zHBM은 기존에 AI 가속기 옆에 고대역폭메모리(HBM)를 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 아키텍처다. 기존 HBM 대비 성능을 최대 8배 높일 수 있다.

zNAND-O는 삼성전자가 개발 중인 고성능 낸드 플래시 솔루션이다. 기존 V-낸드의 수직 적층 기술을 활용하고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.

이와 함께 7세대 HBM4E, 8세대 HBM5 등 현재 개발 중인 HBM의 개발·양산 로드맵을 공개할 수 있다.

[서울=뉴시스] FMS 2026 내 SK하이닉스 전시 부스 전경 (사진=SK하이닉스 제공) 2026.08.07. [email protected] *재판매 및 DB 금지

김호식 SK하이닉스 메모리시스템리서치 담당(부사장)은 '컴퓨트익스프레스링크(CXL)', '근접 연산 메모리' 등 데이터 이동을 줄이기 위한 메모리 기술을 소개할 예정이다.

AI 프로세서에서는 연산 뿐만 아니라 메모리와 가속기 사이의 데이터 이동을 최소화하느냐가 전체 효율을 좌우할 수 있다.

삼성전자와 SK하이닉스는 대만의 TSMC 등 현지의 반도체 기업들과도 비즈니스 미팅을 갖고 각종 협력 방안을 논의할 가능성도 있다.

AI 가속기와 메모리를 하나의 패키지로 구현하는 첨단 패키징이 중요해지면서 메모리 기업과 파운드리(반도체 위탁생산), 팹리스 간 기술 협력 필요성이 한층 높아지고 있다.

다만 양사는 이번 행사에서 별도의 부스를 마련하지는 않는 것으로 알려졌다.

양사 이외에 구글, 마이크론, 샌디스크 등 글로벌 기업들도 AI 메모리에 대한 각사의 기술 현황을 공개한다.


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