에이엘티, SiC웨이퍼 후공정 절삭 특허 출원

[서울=뉴시스] 김경택 기자 = 비메모리 반도체 후공정 테스트 전문기업 에이엘티는 '열충격이 없는 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 후공정 절삭(Dicing) 장치 및 공법'에 대한 특허를 출원했다고 21일 밝혔다.

회사 측에 따르면 이번 기술은 웨이퍼 절단 시 웨이퍼에 가해지는 열적 손상과 웨이퍼의 표면에 오염물질이 안착하는 것을 최소로 한다. 이를 통해 절단 유효영역, 스크라이브 레인(Scribe Lane·웨이퍼 절단부)의 폭을 최소화해 수율을 극대화할 수 있다.

에이엘티는 이미 Si(실리콘) 반도체에 적용되는 Rim-Cut(림컷) 기술을 상용화했다. 이를 기반으로 차세대 전력반도체인 SiC에 응용할 수 있는 첨단 기술을 상용화하기 위해 이번 특허를 출원했다.

에이엘티 관계자는 "회사는 선제적 기술개발로 고객 니즈를 극대화하고 있다"며 "고온·고전압 환경에서 유리하고, 전력 효율이 높은 SiC 반도체는 전기차·신재생 발전설비 등 성장산업 분야에서 주로 사용되고 있다. 산업 발전과 함께 수요가 급격히 증가할 것으로 예상된다"고 말했다.


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