중국 턱밑 추격에…삼성·SK하이닉스, HBM·차세대 기술 개발 '전력투구'

삼전·닉스, 컨콜서 차세대 기술 개발 현황 밝혀

'12조 조달' CXMT, 캐파 확대…"3강 구도 위협"

"후발주자 추격 거세…투자 늦추면 격차 좁혀져"

[평택=뉴시스]박나리 기자 = 삼성전자 평택 5공장(P5) 건설 현장. 2026.04.23. [email protected]

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 창신메모리(CXMT)가 상장으로 대규모 자금을 확보하고 생산능력(캐파) 확대에 나서는 등 중국의 반도체 굴기가 새로운 전환점을 맞은 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스도 기술 초격차를 유지하기 위해 투자에 속도를 내고 있다.

CXMT가 시장 영향력을 키우면 그동안 국내 기업들이 주도해온 '메모리 3강' 구도도 흔들릴 수 있다는 우려가 나온다.

2일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 최근 열린 올해 2분기 실적발표 콘퍼런스콜을 통해 차세대 메모리 기술 개발·생산능력 확대에 대한 계획을 내놓았다.

삼성전자의 2분기 연구개발(R&D) 비용은 16조원으로 역대 최대치를 기록했다.

삼성전자는 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 포함한 6세대 HBM4, DDR5, 소캠2, eSSD 등 고부가 메모리 판매 확대를 통해 기술 리더십을 확고히 하겠다는 계획을 내놓았다.

또한 2분기 시설투자에 총 16조8000억원을 투입했는데 이는 전분기 대비 5조5000억원 증가한 수치다. 반도체에만 15조4000억원을 쏟아 부었다.

SK하이닉스도 이번 콘퍼런스콜에서 하이브리드 본딩과 함께 8세대 'HBM5' 등 차세대 제품의 발열 문제를 위한 'iHBM' 기술을 개발 중이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 "올해 설비 투자 규모를 40조원 후반으로 예상한다"며 "인프라를 선제 확보할 계획"이라고 전했다.

단기적 공급 대응력을 높이기 위해 'M15X' 팹(공장) 양산 일정을 앞당기고 내년 초 용인 1기 팹에 선제 투자를 집행한다.

[서울=뉴시스]삼성전자(위)와 SK하이닉스(아래). 2025.10.10. [email protected] *재판매 및 DB 금지

이같이 삼성전자와 SK하이닉스가 기술 격차 유지를 위해 투자에 발 빠르게 나서는 가운데, 업계에서는 CXMT가 두 회사 주도의 메모리 3강 구도를 흔들 변수가 될 지 주목되고 있다.

CXMT가 이번 중국 상하이증권거래소 상장을 통해 무려 579억2000만위안(약 12조 5600억원) 조달에 성공하면서, 차세대 메모리 개발과 생산능력 확대에 더욱 속도를 낼 예정이다.

CXMT는 범용 D램에 이어 HBM 기술력도 빠르게 끌어올리고 있다.

이 회사는 4세대 'HBM3'을 올해 연말까지 양산한다는 목표를 세웠다.

이미 시제품을 출시했으며 곧 양산 돌입이 가능할 것으로 알려졌다.

중국 정부도 반도체 굴기를 위해 CXMT 등 자국 기업들에 재정·행정적 지원을 쏟고 있다.

외신에 따르면 상하이에 본사를 둔 중국 국영기업이 자체 개발한 침지형 심자외선(DUV) 노광장비 생산을 시작했다고 알려졌다.

올해 생산되는 장비 약 5대는 중국 최대 파운드리 업체 SMIC와 화훙반도체, CXMT 등에 공급될 예정이다.

이 장비는 렌즈와 웨이퍼 사이에 물을 채워 해상도를 높인 장비로 범용부터 중고급 반도체 생산까지 폭넓게 활용된다.

중국산 DUV가 생산라인에 투입되면 네덜란드 ASML 장비에 대한 의존도를 일부 낮출 수 있다.

CXMT 등 중국 반도체 기업들의 차세대 제품 기술 개발이 궤도에 올라오고 있어, 삼성전자와 SK하이닉스도 R&D 및 시설 투자 규모를 더욱 키울 수 밖에 없다는 분석이 나온다.

다만, 1~2년 내 삼성전자와 SK하이닉스의 우위 체제가 바뀔 가능성은 크지 않다는 시각이 더욱 우세하다.

업계에서는 CXMT의 HBM3 수율(양품비율)이 10~20% 수준에 그치는 것으로 추정한다.

업계 관계자는 "AI 확장으로 반도체 시장 파이 자체가 커지는 양상이라 후발주자의 추격은 더욱 거셀 것"이라며 "HBM 등 고부가 제품 위주의 투자를 조금이라도 늦추면 격차가 금세 줄어들 수 있다"고 전했다.


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