삼성전자, 평택에 신규라인 증설…HBM4용 D램 생산능력 확대

평택에 최대 12만장 규모 라인 증설

HBM4용 1c D램 생산능력 확충할 듯

올해 HBM4 시장 선점 의도로 풀이

[수원=뉴시스]삼성전자 평택 캠퍼스(사진=뉴시스 DB)[email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 삼성전자가 평택캠퍼스 4공장에 신규 라인을 증설한다. 올해 시장이 본격 개화하는 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 생산능력을 확충하기 위해서다.

6일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 4공장(P4)에 내년 1분기까지 월 10만~12만 장의 웨이퍼를 생산할 수 있는 규모의 신규 생산 라인을 세울 계획인 것으로 알려졌다. 업계에서는 투자 규모가 수십조원에 이를 것이라는 관측이 나온다.

이 생산 라인에서는 HBM4에 들어가는 최선단 1c(10나노급 6세대) D램을 만들 것으로 보인다. 1c 공정은 최신 기술로 선폭이 가장 미세해, 이전 세대 공정인 1b와 비교하면 반도체 동작 속도가 더 빠르고 전력 효율도 개선된다. 반도체 칩은 회로가 미세해질수록 성능과 전력 효율이 높아지는 특성이 있다.

삼성전자는 월 66만 장의 D램 웨이퍼를 생산하는 것으로 전해지는데, 이번 생산 라인 구축이 완료되면 D램 생산능력을 추가로 18% 확대할 것으로 보인다.

이번 투자는 최근 인공지능(AI) 시장 확대에 따라 HBM4에 엔비디아 등 빅테크들의 수요가 대거 몰리면서 선제적으로 생산능력을 확보하려는 움직임으로 해석된다.

삼성전자는 전작인 5세대 'HBM3E'에서 경쟁사인 SK하이닉스에 시장 주도권을 내주었지만, HBM4에서는 격차를 줄여가고 있다. 양사는 최근 엔비디아 등 빅테크향 HBM4 대량 양산 국면에 진입하는 등 본격적인 경쟁에 나서고 있다.

앞서 삼성전자는 지난해 4분기 실적발표 콘퍼런스콜(전화회의)에서 "HBM4는 차별화한 성능을 확보했다는 피드백을 받았다"며 "고객 요청에 따라 2월부터 HBM4 물량의 양산 출하를 예정하고 있다"고 전한 바 있다.


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