세계 최초 V-낸드 개발한 이진엽 삼성 부사장, 과학기술훈장 혁신장 수상

법정 국가기념일 승격 후 첫 ‘기술개발인의 날’ 기념식

위장질환 신약·AI 서버용 메모리 개발 성과 포상

반도체 장비·디지털 접근성 기술 유공자도 수상

[서울=뉴시스] 과학기술정보통신부가 10일 세종특별자치시 정부세종청사에서 현판식을 개최했다. (사진=과학기술정보통신부 제공) 2023.07.10. [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]심지혜 기자 = 세계 최초 1기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 양산과 3차원 수직구조 낸드플래시(V-NAND) 개발에 기여한 이진엽 삼성전자 부사장이 과학기술훈장 혁신장을 받았다.

과학기술정보통신부는 7일 서울 페어몬트 앰배서더에서 ‘2026 기술개발인의 날’ 기념식을 열고 민간 연구개발과 기술경영에 기여한 유공자에게 정부포상 등을 수여했다.

기술개발인의 날이 법정 국가기념일로 지정된 뒤 처음 열린 기념식이다. 한성숙 국무총리, 송기헌 국회 과학기술정보방송통신위원장, 최형두 국민의힘 의원, 구혁채 과기정통부 차관, 구자균 한국산업기술진흥협회장 등 산·학·연 주요 인사가 참석했다.

이날 정부포상은 훈장 3점, 포장 4점, 대통령표창 20점, 국무총리표창 28점 등 55점이 수여됐다. 기업연구기술진흥 유공자에게는 부총리표창 35점, 기업부설연구소 우수 연구인력에게는 한국산업기술진흥협회장상 11점이 각각 돌아갔다.

과학기술훈장 혁신장(2등급)을 받은 이진엽 부사장은 1Gb 낸드플래시 양산과 V-NAND 개발 등에 참여하며 국내 메모리 산업의 제품 경쟁력을 높인 공로를 인정받았다.

과학기술훈장 웅비장(3등급)은 송근석 HK이노엔 부사장과 장지은 SK하이닉스 부사장이 받았다. 송 부사장은 기존 위장 질환 치료제의 식전 복용과 약효 지연 한계를 개선한 신약 개발을 주도했고, 장 부사장은 초고용량 서버 D램과 저전력·고대역폭 소형 모바일 메모리 개발에 기여했다.

과학기술포장은 고기옥 한국항공우주산업 비행제어법칙 팀장, 류진호 포스코 연구위원, 박우진 LS일렉트릭 글로벌제품개발연구단장, 이호기 삼성중공업 친환경연구센터장이 수상했다.

대통령표창은 개인 13명과 단체 7곳에 돌아갔다. 개인 부문에는 원자현미경 기반 반도체 계측·검사 시스템 개발과 상용화에 기여한 안병운 파크시스템스 연구소장 등이 포함됐다. 단체 부문에서는 반도체 공정용 플라즈마 원자층 증착 장비를 개발한 씨엔원 등 7개사가 선정됐다.

국무총리표창은 개인 20명과 단체 8곳이 받았다. 허선아 하이퍼뉴로텍 대표이사와 에이텍 등이 수상자 명단에 포함됐다.

기업연구기술진흥 유공 부문에서는 연구개발 혁신과 기술 상용화, 기술혁신 생태계 조성에 기여한 연구자와 기업·단체에 부총리표창 35점이 수여됐다. 개인 25명, 단체 10곳이다.

개인 부문에서는 반도체 소자·공정 원천기술과 첨단 반도체 장비 국산화, 습도 제어 기술 개발 등을 통해 고집적 D램과 3D 낸드플래시 생산기술 최적화에 기여한 박태서 저스템 부사장 등 25명이 수상했다.

단체 부문에서는 생성형 에이전트 AI를 활용한 디지털 정보 접근성 자동 진단 기술을 개발·상용화한 에스앤씨랩 등 10개사가 선정됐다. 에스앤씨랩은 장애인과 고령자 등 디지털 취약계층의 정보 격차 해소에 기여한 점을 인정받았다.

기술개발인은 기업부설연구소에서 연구개발 활동 관련 업무를 전담하는 인력이다. 2024년 기준 약 45만명으로, 전국 연구인력 61만명의 70%를 넘는다.


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