인텔, 차세대 '하이-NA EUV' 도입…"미래 공정 역량 확보"

美 오리건주 R&D서 조립 완료…업계 최초 도입

반도체 집적도 향상과 웨이퍼 생산성 제고 기여

[서울=뉴시스]인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 R&D 사이트에서 업계 최초 상업용 ‘고개구율(High Numerical Aperture, High NA) 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)’ 노광장비(리소그래피 스캐너) 조립을 완료했다고 19일 밝혔다. (사진=인텔 제공) [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이인준 기자 = 인텔이 초미세 파운드리(반도체 위탁생산) 공정에 필수 장비인 하이-NA(High-NA·고개구율) EUV(극자외선) 노광장비 도입을 완료했다.

인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 연구개발(R&D) 구역에 위치한 업계 최초 상업용 하이 NA EUV '트윈스캔 EXE:5000'(TWINSCAN EXE:5000)의 조립을 완료했다고 19일 밝혔다.

하이 NA EUV는 네덜란드 기업인 ASML가 생산하는 장비로, 2나노미터(㎚·10억분의 1m) 차세대 공정 개발에 필수적인 역할이 기대된다. 하이 NA EUV를 도입한 것은 인텔이 업계 최초다.

이 장비는 앞으로 여러 조정(calibration) 단계를 거쳐, 인텔의 첨단 공정 로드맵 개발에 사용된다.

인텔은 차세대 EUV를 기존 EUV 장비와 함께 2025년 인텔 18A 제품 검증을 시작으로 인텔 14A 생산에 이르기까지 첨단 칩 개발과 제조에 사용할 계획이다.

신규 장비는 인쇄된 이미지를 실리콘 웨이퍼에 투사하기 위한 광학 설계 변경을 통해 차세대 프로세서의 해상도와 기능 확장을 획기적으로 개선할 수 있다.

인텔에 따르면 하이 NA EUV는 기존 EUV 장비보다 최대 1.7배 미세하게 빛을 쬘 수 있다. 이를 통해 집적도가 2.9배 향상될 것으로 보인다. 또 기존 EUV보다 레이어를 인쇄하는 데 필요한 시간이 줄어 들어 팹의 웨이퍼 생산량을 높일 수 있다.


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