한미반도체, HBM4용 'TC 본더 4' 출시…"빅테크 수요 적극 대응"

6세대 HBM 전용 장비 'TC 본더 4' 출시

HBM4용 TC 본더 4. (사진=한미반도체 제공) *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스] 배요한 기자 = 한미반도체가 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 생산 전용 장비 'TC 본더 4(TC BONDER 4)'를 출시한다고 14일 밝혔다.

곽동신 한미반도체 회장은 "인공지능(AI) 시장의 급성장으로 글로벌 HBM 시장이 매년 폭발적으로 성장하고 있다"며 "엔비디아가 올해 하반기에 선보일 차세대 제품인 '블랙웰 울트라' 역시 한미반도체의 TC 본더로 생산될 예정이며, HBM TC 본더 분야에서 세계 시장 점유율 1위를 유지하고 있는 당사의 경쟁력은 변함이 없다"고 말했다.

업계 일각에서는 HBM4 생산을 위해 하이브리드 본딩 기술이 필수적이라는 분석이 제기되기도 했다. 하지만 지난 4월 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 HBM4의 표준 높이를 775μm(마이크로미터)로 완화하면서, 한미반도체는 기존 TC 본더 장비로도 HBM4 제조가 가능해지는 직접적인 수혜를 입게 됐다.

곽 회장은 "이번에 출시한 'TC 본더 4'는 HBM4 생산에 최적화된 전용 장비로, 고도의 정밀도를 요구하는 HBM4 특성에 맞춰 생산성과 정밀도를 크게 향상시킨 것이 특징"이라며 "글로벌 반도체 고객사의 HBM4 생산 라인에 적극 도입돼 향후 시장 확대에 따른 실적 기여도 클 것으로 기대한다"고 전했다.

글로벌 메모리 기업들은 올해 하반기부터 HBM4 양산에 본격적으로 돌입할 예정이다. 6세대 고대역폭메모리인 HBM4는 기존 5세대(HBM3E) 대비 속도가 약 60% 빨라지고, 전력 소모는 30% 가량 줄어드는 등 혁신적인 성능 개선을 이뤘다.

최대 16단 적층을 지원하며, D램당 용량은 24Gb(기가바이트)에서 32Gb로 확장됐다. 데이터 전송을 위한 실리콘관통전극(TSV) 인터페이스 수 역시 전 세대의 2배인 2048개로 증가해 프로세서와 메모리 간 전송 속도가 대폭 향상됐다.

이에 따라 16단 이상의 고적층 HBM 공정에서는 초정밀 본딩 기술의 중요성이 더욱 부각되고 있으며, HBM 적층의 완성도를 좌우하는 고난도 공정에서 한미반도체의 TC 본더가 핵심적인 역할을 할 것으로 기대된다.

1980년 설립된 한미반도체는 현재 전 세계 약 320여 개 고객사를 보유하고 있으며, 2002년 지적재산부를 설립한 이후 HBM 장비 관련 지적재산권 보호와 기술 개발에 주력해 왔다. 지금까지 총 120여건에 달하는 관련 특허를 출원한 상태다.


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