삼성, 美 테일러 공장 완공 임박…TSMC 추격 본격화

삼성 파운드리, 부지선정 2주년…연내 완공

장비 반입 거쳐, 내년 하반기 가동 예정

첨단 반도체 수주…2공장 추진도 확정적

[서울=뉴시스] 경계현 삼성전자 사장이 공개한 미국 테일러 공장 건설 현장 (사진=경계현 삼성전자 사장 인스타그램 갈무리) 2023.07.14. [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자가 텍사스주 오스틴시에 이어 테일러시를 미국 파운드리 제2공장 건설 부지로 선정한 지 2주년을 맞은 가운데, 테일러시 1호 반도체 공장이 올 연말 완공 예정이다. 이 공장이 완공되면 삼성전자의 파운드리 반도체 양산에 새로운 전환점이 마련된다. 테일러시에 앞으로 2호, 3호 공장 건립 여부도 주목된다.

28일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2021년 11월 미국 내 신규 파운드리 반도체 생산라인 부지로 텍사스주 테일러시를 선정한 지 이달로 만 2주년을 맞았다.

이 공장은 건설·설비 등 예상 투자 규모만 170억 달러며, 이는 삼성전자의 역대 미국 투자 금액 중 최대다. 삼성전자가 파운드리 공장을 해외에 건설한 것은 텍사스 오스틴시 공장에 이어 테일러시가  2번째다.

테일러 1공장, 5G·AI 등 첨단 반도체 양산 나서

삼성전자는 이 테일러시 1라인을 계획대로 올 연말까지 완공하고, 이후 장비 반입을 거쳐 내년 말에는 본격 가동할 방침이다.

삼성전자는 이곳에서 5G(차세대통신), HPC(고성능컴퓨팅), AI(인공지능) 등 다양한 분야의 반도체를 생산한다. 특히 첨단 반도체 공정인 4나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정을 테일러 공장에도 도입할 예정이다.

삼성전자는 이미 AI 칩 분야 스타트업인 그로크(Groq)의 차세대 AI 칩을 수주했다고 밝힌 바 있다. 이 반도체는 삼성전자 파운드리의 4나노 공정 중에서 HPC 제품을 타깃으로 하는 'SF4X'를 적용해 만든다. 삼성전자의 4나노 공정 수율은 최근 70%대까지 올라와 경쟁사와 맞먹는 수준까지 높아졌다.

업계에 따르면 테슬라도 삼성전자 파운드리를 이용해 자율주행용 반도체를 개발할 것으로 알려졌다. 테일러 공장에서  오스틴시에 있는 테슬라 기가팩토리까지는 차로 30분 거리다.

'쉘 퍼스트' 전략…2공장 조기 착공 가능성 주목

삼성전자 테일러 1라인 완공이 임박하며, 테일러 2라인(2공장) 건립 여부도 관심이 쏠린다.

삼성전자가 미국 시의회에 제출한 자료에 따르면, 삼성전자는 향후 20년간 텍사스주 오스틴과 테일러에 각각 245억달러(32조원)와 1676억달러(218조원)을 투자해 반도체 생산공장 11곳를 새로 만들 계획이다.

최근 현지 언론을 통해 테일러 팹 인근 부속 건물 공사 계획이 알려지며, 2공장 착공 가능성이 주목 받았지만 삼성전자는 2공장 계획에 대해 "아직 결정된 사항이 없다"는 원론적 입장만 내비치고 있다.

삼성전자는 고객 주문을 받기 전에 클린룸(청정실) 등 생산시설부터 건설하는 '쉘 퍼스트'(Shell First)' 전략, 이른바 '원 이어 원 뉴 팹(One Year One New Fab·1년마다 팹 1곳을 신설한다는 뜻)' 방침을 제시한 바 있다. 이에 따라 2027년 삼성전자의 클린룸 규모는 2021년 대비 7.3배로 확대될 전망이다.

삼성전자는 앞으로 테일러 공장에 올해 양산을 시작하는 3나노 2세대 공정을 도입해 북미 고객 수요에 적극 대응한다.

삼성전자의 3나노 수율은 50%로 알려졌지만, 최대 경쟁사인 대만 TSMC보다 앞서 차세대 기술인 GAA(게이트올어라운드) 구조를 도입했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술로, 기존 대비 데이터 처리 속도 및 전력 효율성을 높일 수 있다.

이를 통해 삼성전자는 TSMC보다 먼저 공정 노하우를 쌓고, 기술 격차도 줄일 것으로 믿고 있다. 삼성전자 관계자는 "GAA 3나노 2세대 공정의 본격 양산과 테일러 팹 가동을 통해 경쟁사와 기술 격차를 줄이는 발판을 마련하겠다"고 밝혔다.


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