삼성전자, D램에 '하이 NA EUV' 첫 적용 추진…"ASML과 협력 확대"

2028년 첨단 D램 제조에 차세대 노광 설비 도입

12인치 포토마스크 전환 컨소시엄에도 참여

[서울=뉴시스] 황준선 기자 = 서울 서초구 삼성전자 서초사옥의 모습. 2026.07.07. [email protected]

[서울=뉴시스]박나리 기자 = 삼성전자가 네덜란드 반도체 장비 기업 ASML과 차세대 반도체 제조 협력을 확대한다.

오는 2028년까지 첨단 D램 제조에 차세대 노광 설비인 '하이(High) NA 극자외선(EUV)'를 도입해 메모리 미세화와 생산성 제고에 나설 계획이다.

삼성전자는 ASML과 2028년까지 첨단 D램 제조에 하이 NA EUV 도입을 위한 협력을 강화한다고 8일 밝혔다.

이번 협력은 하이 NA 기술이 첨단 메모리 제조에도 적용될 준비가 됐다는 의미로 풀이된다.

삼성전자는 더 정밀한 패터닝을 통해 D램 미세화 로드맵을 연장하고, 공정 단순화와 생산성 제고를 동시에 추진한다는 방침이다.

하이 NA EUV는 기존 EUV와 같은 극자외선을 사용하지만 빛의 개구수(NA)를 높여 더 세밀한 회로를 구현하는 차세대 노광 기술이다.

기존 EUV의 NA값은 0.33 수준인데, 하이 NA는 0.55로 높아 한 번에 그릴 수 있는 회로 선폭을 더 낮출 수 있다.

삼성전자와 ASML은 그동안 쌓아온 협력 성과를 바탕으로 첨단 AI 반도체 제조에 필요한 성능과 효율을 높일 기술 개발과 도입도 앞당긴다는 방침이다.

삼성전자는 하이 NA EUV를 실제 양산 제품에 적용해 공정 안정성도 조기에 검증할 예정이다.

양산 제품을 활용해 하이 NA EUV의 공정 조건과 수율, 생산성 등을 확인하고, 새로운 노광 기술을 D램 양산 체계에 빠르게 안착시키는 것이 목표다.

삼성전자는 앞서 메모리 분야에서 EUV 공정 도입을 선도해왔다.

지난 2020년 메모리 업계 최초로 D램 생산에 EUV 공정을 적용했고, 올해 3월에는 하이 NA EUV 설비를 국내에 처음 반입했다.

이번 협력은 차세대 D램 미세화 경쟁에 선제적으로 대응하기 위한 전략적 성격이라는 해석이다.

삼성전자는 ASML이 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄'에도 참여해 12인치 포토마스크 공동 개발에 나선다.

12인치 포토마스크를 적용하면 한 번에 더 넓은 면적의 회로를 웨이퍼에 새길 수 있어 생산성을 높이고 제조 비용을 낮출 수 있다.

삼성전자는 메모리와 파운드리 제조 경험을 바탕으로 12인치 포토마스크 전환에도 참여할 예정이다.

전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 "AI 시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다"며 "삼성전자는 혁신 기술과 강한 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고 ASML과의 협력을 한층 강화함으로써 '넥스트(Next) AI'를 위한 기술 기반을 마련해 나갈 것"이라고 말했다.

크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "삼성전자는 오랜 기간 ASML의 가장 중요한 혁신 파트너 중 하나로 그동안 현대 반도체 제조의 기반이 되는 기술을 함께 발전시켜 왔다"며 "AI가 이끄는 새로운 시대를 맞아 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어 가기를 기대한다"고 밝혔다.

삼성전자와 ASML은 이번 협력을 계기로 첨단 메모리와 차세대 제조 방식 등에서 추가 협력 기회도 모색할 전망이다.


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