삼성전자, 세계 최초 HBM4E 공급…차세대 AI 메모리 주도권 노린다

HBM4 이어 HBM4E도 세계 첫 공급

1c D램 앞세워 성능·수율 개선

SK하이닉스 독주 체제 변화 주목

[서울=뉴시스]삼성전자가 세계 최초로 출하한 HBM4E 12단 제품 모습. (사진=삼성전자 제공) 2026.05.29. [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 삼성전자가 세계 최초로 6세대 HBM4에 이어 7세대 HBM4E까지 고객사 공급에 나서며 반격의 신호탄을 쐈다.

지난해 HBM3E 시장에서 SK하이닉스에 주도권을 내줬지만, 최선단 1c D램 기반의 성능·수율 경쟁력을 앞세워 차세대 HBM 시장 선점에 나서면서 AI 메모리 시장 판도 변화 가능성이 커지고 있다.
 
삼성전자는 세계 최초로 차세대 인공지능(AI) 가속기의 핵심이 될 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 전격 공급했다고 29일 밝혔다.

지난 2월 업계 최초 6세대 HBM4 양산 출하에 이어 수개월 만에 7세대 HBM4E 공급을 개시했다.

삼성전자 HBM4E의 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원하며, 이는 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치이다.

용량 측면에서도 개선됐다.

HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트) 용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다.

전작에서 이미 검증된 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 4나노 로직 다이(Die)를 적용했다.

이를 통해 초미세 공정의 안정성을 극대화하는 동시에 수율과 양산성을 확보했다.

경쟁사들이 쉽게 따라올 수 없는 진입장벽을 구축한 것이라는 평가가 나온다.

삼성전자가 HBM4에 이어 HBM4E도 최초로 출하하면서 업계에서는 올해 HBM 시장 경쟁 판도가 크게 달라질 수 있을 지 주목하고 있다.

삼성전자는 지난해 HBM3E 시장에서 SK하이닉스와 같은 경쟁사보다 양산 출하가 늦어졌다.

그 사이 SK하이닉스는 엔비디아에 HBM3E 공급을 확대하며 HBM 시장 1위를 굳혔다.

[서울=뉴시스]삼성전자 HBM4E 12단 제품이 세계 최초로 글로벌 고객사에 출하되는 모습. (사진=삼성전자 제공) 2026.05.29. [email protected] *재판매 및 DB 금지

하지만 올 들어서는 1c D램 등 삼성전자의 최선단 공정이 효과를 발휘하고 있다는 평가다. 1c D램은 기존 1b D램보다 제조 비용이 더 들어가지만 데이터 처리 속도가 월등히 빠르다.

삼성전자는 1c D램을 경쟁사들에 앞서 HBM4부터 활용하고 있는데, 공정이 안정화 단계에 이른 것으로 보인다.

HBM 양산 경험이 쌓이면서 그동안 고질적인 문제로 꼽혔던 수율도 상당 수준으로 올라왔다는 분석이다.

HBM4와 HBM4E 등 차세대 HBM은 고객 맞춤형으로 제작해야 해 공정 안정성과 수율이 매우 중요하다.

HBM은 고객사와의 공동 검증 및 최적화 기간이 긴 만큼, 샘플 공급 시점이 향후 양산 공급망 진입 가능성과 직결되는 것으로 평가된다.

샘플 공급 시점이 빨라질수록 HBM 전체 시장 점유율 확보도 유리해지는 셈이다.

업계에서는 삼성전자가 범용 D램 중심이었던 매출 구조를 HBM 등 고부가 메모리 포트폴리오 위주로 전환할 것으로 보고 있다.

최근 엔비디아 등 빅테크들이 메모리 병목 현상을 우려해 HBM 공급처를 다변화하고 있는데, 이 과정에서 삼성전자가 적지 않은 수혜를 볼 수 있다.

한편, SK하이닉스도 곧 HBM4E를 출하할 것으로 예상되면서 HBM4E 시장 경쟁도 치열해질 것으로 보인다.

업계 관계자는 "예상보다 삼성의 차세대 HBM 공급 시기가 빨라지면서 SK하이닉스가 주도하던 HBM 시장의 경쟁 구도도 크게 변화될 수 있다"고 전했다.


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