한·미 협상 테이블 오른 '반도체'…삼전·닉스, 추가 생산거점 여부 관심

美, 현지 생산 투자와 관세 연계 방침

양사 국내외 증설 병행…SK는 日 협력도 검토

[서울=뉴시스]박나리 기자 = 미국이 현지 생산 투자와 연계한 '선별적 반도체 관세' 카드를 꺼내 들면서, 대미 투자를 이어가고 있는 삼성전자와 SK하이닉스의 추가 생산거점 확대 여부에 관심이 집중된다.

5일 업계에 따르면 대통령실 관계자는 전날 반도체 투자가 미국과 진행하는 투자 협의에 포함돼 있다고 밝혔다.

여러 현안이 서로 영향을 미칠 수 있지만 협의에 지장을 주지 않도록 노력하고 있다는 설명이다.

앞서 하워드 러트닉 미국 상무장관은 지난 2일(현지시간) CNBC 인터뷰에서 반도체에 대한 '선별적이고 신중한' 관세정책을 검토하고 있다고 말했다.

미국에 생산시설을 짓는 기업에는 관세 부담을 덜어주고, 그렇지 않은 기업에는 미국 시장 진입에 따른 부담을 지우겠다는 취지다.

다만 구체적인 세율과 적용 대상, 시행 시점은 공개하지 않았다.

미국의 메모리 생산시설 유치 요구는 이번이 처음이 아니다.

러트닉 장관은 지난 7월 미국 반도체 기업의 공장 건설 행사에서도 삼성전자와 SK하이닉스가 미국에 메모리 생산시설을 짓기를 바란다는 뜻을 밝혔다.

[서울=뉴시스] 김정관 산업통상부 장관이 2일(현지시간) 미국 노스캐롤라이나 주 채플힐에서 열린 G20 혁신장관회의에 참석해 하워드 러트닉(Howard Lutnick) 미국 상무부 장관과 기념사진을 촬영하고 있다. (사진=산업통상부 제공) 2026.09.03. [email protected] *재판매 및 DB 금지

삼성전자와 SK하이닉스는 이미 미국에 생산거점을 구축하고 있다.

현재 추진하는 사업은 각각 파운드리와 첨단 패키징으로, 미국이 유치 의사를 밝힌 메모리 웨이퍼 생산시설과는 차이가 있다.

삼성전자가 텍사스주 테일러에 건설 중인 공장은 고객이 설계한 첨단 로직 반도체를 생산하는 파운드리 시설이다.

지난 4월 실적 발표에서는 내년 양산 계획과 함께 두 번째 공장에 대한 예비 검토도 언급했다.

SK하이닉스는 지난달 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 첨단 패키징 공장 착공식을 열었다.

한국에서 생산한 웨이퍼를 미국으로 가져와 HBM으로 패키징하고 검사한 뒤 고객사에 공급하는 구조다.

인디애나 공장은 2029년 3분기 HBM4E 양산을 목표로 한다.

메모리 웨이퍼는 국내에서 생산하고, 미국에는 고객과 가까운 곳에 후공정 거점을 두는 방식이다.

SK하이닉스는 미국 외 지역에서도 생산 협력 가능성을 살피고 있다.

최태원 SK그룹 회장은 최근 아사히신문 인터뷰에서 일본 키옥시아와의 공동생산 등을 가능한 협력 방안으로 제시하기도 했다.

국내에서는 용인과 청주 증설을 추진하고 있다.

SK하이닉스는 지난달 용인 Y2에 35조2000억원, 청주 M17에 19조1000억원 등 총 54조3000억원의 투자를 승인했다.

내년 착공하는 두 시설은 각각 D램과 낸드플래시 생산능력을 확대하기 위한 사업이다.

첫 클린룸 완공 목표는 용인 Y2가 2029년 6월, 청주 M17이 2028년 12월이다.

정부는 미국과의 반도체 관세 협의에서 경쟁국보다 불리하지 않은 대우를 확보한다는 입장이다.

김정관 산업통상부 장관은 지난 3일 미국 워싱턴에서 지난해 한미 합의에 담긴 이 원칙에 따라 반도체 관세 논의를 진행하고 있다고 밝혔다.


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