한 해 생산량 단 3대…ASML 차세대 EUV '품귀'
'게임 체인저' ASML '하이-NA' EUV, 양산 속도 논란
인텔, TSMC에 이어 삼성전자도 시험 가동 들어간 듯
제조 속도 더뎌…납품 시기 예측 어려워 업계 고심 중
![[서울=뉴시스]인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 R&D 사이트에서 업계 최초 상업용 ‘고개구율(High Numerical Aperture, High NA) 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)’ 노광장비(리소그래피 스캐너) 조립을 완료했다고 19일 밝혔다. (사진=인텔 제공) photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지](https://img1.newsis.com/2024/04/19/NISI20240419_0001530780_web.jpg?rnd=20240419135837)
[서울=뉴시스]인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 R&D 사이트에서 업계 최초 상업용 ‘고개구율(High Numerical Aperture, High NA) 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)’ 노광장비(리소그래피 스캐너) 조립을 완료했다고 19일 밝혔다. (사진=인텔 제공) [email protected] *재판매 및 DB 금지
12일 업계에 따르면 ASML은 지난해 사업보고서를 통해 지난해 고객사에 출하한 '하이-NA EUV'가 3대라고 공개했다.
인텔이 2대를 확보해 미국 오리건주 힐스보로 공장에 배치했다. 아직 회사 매출로 인식되지 않았지만, 아시아 지역(TSMC 추정)에도 지난해 4분기부터 한 대가 출하를 시작했다. 이어 업계에 따르면 올해 들어 삼성전자도 화성캠퍼스에 장비를 들여와 시운전에 들어가며, 파운드리(반도체 위탁생산) 업계에 본격적인 경쟁의 막이 올랐다.
하이-NA EUV 장비는 반도체 업계가 한계에 부딪힌 초미세 공정 분야에서 돌파구가 될 수 있는 핵심 장비로 여겨진다. 이 장비는 렌즈의 크기를 키워(NA 0.33→0.55), 더 세밀하게 회로를 그릴 수 있게 하는 장비다.
이에 공정 업그레이드를 위해 현재 모든 EUV 고객사가 차세대 장비를 주문한 것으로 알려졌다. 파운드리뿐 아니라 메모리 업체인 SK하이닉스도 2026년께 도입이 예정할 전망이다. 미국 마이크론도 차세대 EUV를 검토할 것으로 보인다.
다만 늘어나는 수요를 충족하기에는 생산의 속도가 턱없이 느리다. 특히 인텔은 6개 이상을 구입했는데, 아직 2개 밖에 받지 못했다.
ASML은 그동안 해마다 50대가량의 EUV를 납품하겠다는 목표를 고객들에게 제시하지만, 실제로 회사가 매출로 인식한 EUV는 ▲2021년 42대 ▲2022년 40대에 그쳤다.
지난해도 42대에 그쳐, 목표에 미달했을 뿐 아니라 전년(53대) 대비 줄었다. 고객 수요 대비 제조 능력이 뒷받침되지 못해 장비 인도 시점을 예측하기 어렵다는 평가를 받는다.
차세대 장비 역시 첫 해 출하량이 단 2대에 불과한 만큼, 불확실성에 대한 업계의 우려가 크다. 전략적으로 매우 중요한 장비라는 사실은 알지만 앞으로 예정된 2나노 공정이나 차세대 HBM(고대역폭메모리)나 DDR6 등 제조에 필요한 10나노급 7세대(1d) 이상 D램 개발 등에 사용할 수 있을지 판단이 잘 서지 않는다는 것이다.
ASML 역시 현실적으로 '하이-NA EUV'로 생산 라인을 빠르게 전환하긴 쉽지 않은 상황이다. 이 장비는 한 대당 무려 3억5000만유로(5500억원) 이상으로 높지만, 수익성은 낮아 실적에는 부정적인 영향이 생긴다.
ASML은 올해 초 열린 실적발표회를 통해 "올해 하이-NA EUV의 매출은 주로 하반기에 치우쳐있다"면서 "설치 속도가 빨라지고 있지만, 반대로 말하자면 고난도 장비인 만큼 (하반기 이익에는) 희석 효과가 있을 것이라는 점도 분명하다"고 밝혔다.
◎공감언론 뉴시스 [email protected]
Copyright © NEWSIS.COM, 무단 전재 및 재배포 금지