DB하이텍, 8인치 1200V SiC 공정 검증…2027년 양산

설계부터 제조·신뢰성 검증까지 일괄공정 구축

1·2세대 PDK 제공…11월 3세대 추가 출시

[서울=뉴시스]DB하이텍 부천캠퍼스 전경., (사진 = 업체 제공) *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]박나리 기자 = DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반의 1200V 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 공정 신뢰성 검증을 마치고 2027년 양산을 추진한다.

DB하이텍은 8인치 1200V SiC 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 공정의 신뢰성 검증을 완료했다고 9일 밝혔다.

SiC는 기존 실리콘보다 고온·고전압 환경에서 안정적으로 작동해 전기차와 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 사용되는 차세대 전력반도체 소재다.

현재 SiC 반도체는 6인치 웨이퍼가 주로 사용되지만, 생산효율과 원가 경쟁력을 높이기 위해 주요 업체들이 8인치 공정으로 전환하고 있다.

DB하이텍은 고전력 MOSFET에 최적화한 SiC 공정을 개발하고 설계부터 제조, 특성 평가, 신뢰성 검증까지 지원하는 8인치 파운드리 일괄공정을 구축했다.

회사는 8인치 1200V SiC 파운드리 일괄공정 구축이 세계 최초라고 설명했다.

고객사의 제품 개발을 지원하기 위한 공정설계키트(PDK)도 제공한다.

PDK는 반도체 설계에 필요한 공정 정보와 설계 규칙 등을 담은 자료다.

DB하이텍은 자체 개발한 1·2세대 1200V SiC MOSFET PDK를 고객사에 제공하고 있다.

오는 11월에는 3세대 PDK를 추가로 출시할 예정이다.

고객사는 이를 활용해 초기 설계와 시제품 제작 기간을 줄여 제품 개발 기간을 1년 이상 단축할 수 있을 것으로 기대된다.

PDK로 제공되는 2세대 공정은 게이트 전압 18V 조건에서 비저항 2.5mΩ·㎠ 이하와 문턱전압 3V 이상의 전기적 특성을 구현했다.

3세대 공정은 같은 게이트 전압 조건에서 비저항을 2.3mΩ·㎠ 이하로 낮추고, 단락 발생 시 반도체가 손상 없이 견디는 시간인 SCWT를 2.5㎲ 이상 확보하는 것을 목표로 하고 있다.

DB하이텍은 올해 3분기 중 기존 파운드리 고객사를 대상으로 공정을 우선 제공하기 위한 준비를 마치고, 2027년 2분기부터 모든 고객사로 서비스를 확대할 예정이다.

DB하이텍 관계자는 "이번 검증 완료는 8인치 SiC 파운드리 서비스를 위한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다는 데 의미가 있다"며 "2027년 양산을 차질 없이 준비해 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 확대하겠다"고 말했다.


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