시지트로닉스, GaN 기반 S밴드 RF 전력반도체 상용화 성공

[서울=뉴시스] 김경택 기자 = 화합물 반도체 전문기업 시지트로닉스는 질화갈륨(GaN) 기반 S밴드(2~4GHz) RF(고주파) 전력반도체 라인업 상용화에 성공해 국내 기술 기반의 고출력 RF 프론트엔드 솔루션 확보에 본격적으로 나선다고 8일 밝혔다.

회사 측에 따르면 이번 성과는 한국전자통신연구원(ETRI)으로부터 이전받은 원천기술을 바탕으로 설계부터 제조, 측정까지 전 공정을 100% 국내 기술로 구현한 사례다. 국내 화합물반도체 산업의 기술 자립을 의미하는 중요한 이정표다.

시지트로닉스는 이번 GaN RF 전력반도체 사업 진출을 계기로 고출력 RF 분야까지 포트폴리오를 확대하며 국산화 생태계 구축과 공급망 안정화에 기여할 전망이다.

이번에 상용화된 S밴드 RF 전력반도체 라인업은 ▲10W ▲30W ▲50W ▲150W 급으로 구성돼 있다. ▲군용 S밴드 레이더, ▲전자전 ▲재밍 시스템 ▲항공·지상 통신 장비 ▲시험장비 등 다양한 고출력 RF 시스템에 적용할 수 있다. 특히 시지트로닉스는 150W급 출력 트랜지스터와 이를 안정적으로 구동하기 위한 10~50W급 드라이버 제품군을 동시에 공급함으로써 프론트엔드 전체를 동일한 설계 철학으로 구현할 수 있는 완성형 전력반도체 솔루션을 확보했다.

이 제품군은 광대역, 고출력, 고선형성 등 고출력 RF 시스템이 요구하는 핵심 성능을 충족하며, 글로벌 시장에서도 공급이 부족한 10~50W급 드라이버 제품 수요를 충족할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 회사 측은 설명했다.

이를 기반으로 시지트로닉스는 국내뿐 아니라 해외 방산·항공·통신 시장에서도 수요 확대가 기대되는 GaN 기반 전력반도체 공급자로서 입지를 강화할 전망이다.

시지트로닉스 관계자는 "기술 내재화를 통한 글로벌 경쟁력 확보와 함께 한국 화합물 반도체 산업 생태계의 핵심 기업으로 성장하겠다"고 말했다.


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