SK하이닉스 "전세계 반도체 부족으로 내년 시설투자 당겨 올해 집행"

[서울=뉴시스] SK하이닉스 청주 사업장. 2020.03.03. (사진=SK하이닉스 제공)

[서울=뉴시스] 최희정 기자 = SK하이닉스는 28일 올해 1분기 실적 발표 후 진행한 컨퍼런스콜에서 "반도체 업계 전반의 공급부족으로 내년 계획된 캐펙스(시설투자) 투자분의 일부를 올 하반기에 당겨 집행할 계획"이라고 밝혔다.

이어 "연초 계획보다 시설투자 규모가 다소 증가하지만, 이에 따른 생산량 증가는 내년에 발생할 것"이라고 덧붙였다.

SK하이닉스는 "메모리 시황 개선으로 계절적 비수기에도 불구, D램과 낸드플래시 출하량이 전분기 대비 각각 4%, 21% 증가했다"며 "D램 SSD 가격은 전분기 대비 4% 상승, 낸드는 7% 하락했다"고 설명했다.

또한 "올해 1분기 비트그로스(메모리 반도체 전체적 성장률을 나타내는 비율)는 계절적 비수기에도 불구하고 전기대비 D램 4% 낸드플래시 21% 늘어났다. 평균판매가격은 전기대비 D램 4% 상승했고 낸드 7% 감소했다"고 부연했다.

올해 D램과 낸드 시장 수요에 대해서는 "D램은 전년대비 20% 수준, 낸드는 전년대비 30% 중반 성장이 예상된다"며 "SK하이닉스는 D램 시장에서 시장 성장률 수준으로, 낸드 시장에서는 시장 성장률을 상회하는 수준의 비트그로스를 계획하고 있다"고 밝혔다.

낸드 플래시 시장 업황 전망에 대해 "예상보다 빨리 회복돼 2분기에는 가격이 상승 전환할 것"이라며 "낸드플래시는 128단 제품 판매 비중을 연말 80%까지 높이고 연내 176단 낸드플래시 양산을 시작해 경쟁력을 강화하겠다"고 말했다.

SK하이닉스는 EUV 전담팀을 구성해, EUV를 적용하는 제품을 점차 늘리겠다고 밝혔다. 회사는 "연내 EUV를 활용한 4세대 1a D램 제품 양산에 들어갈 예정이다. EUV가 적용되는 레이어는 첫 제품이라서 많지 않다. 첫 적용이라 한 레이어에만 적용한다"며 "이후 1b, 1c 등 제품에서 늘려갈 계획"이라고 했다.

이어 "ASML과 계약을 통해 향후 수년 동안 EUV 장비의 안정적인 도입 가능하도록 했다. 기술을 첫 적용하는 것이어서 다양한 불확실성이 예상되나 전담팀을 구성해 문제가 없도록 각고의 노력을 기울이고 있다"고 부연했다.


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