삼성전자, 중국서 'Made in China' 핵심 반도체 생산

지경부, 삼성전자의 낸드 메모리 중국투자 신고 수리
삼성전자, 10나노급 낸드 플래시 中공장 세워 내년 하반기부터 양산

【서울=뉴시스】박준호 기자 = 국가 핵심기술로 분류되는 10나노급 낸드 플래시를 중국 현지에서 직접 생산키로 해 논란을 빚은 삼성전자의 투자계획이 예정대로 진행될 전망이다.

 삼성전자는 중국을 구심점으로 반도체 시장에서 경쟁력을 갖추게 됐지만, 정부는 민감한 기술의 중국 '수출'을 허가하는 대신 최고 수준의 기술보안 시스템 구축과 국내 투자확대 등을 요청했다.

 지식경제부는 4일 삼성전자의 중국 반도체 공장 설립을 위한 10나노급 낸드 플래시 국가핵심기술 수출신고건을 최종 수리했다고 밝혔다.

 지경부는 지난달 14일과 27일 2차례에 걸쳐 전기전자 분야 산업기술보호 전문위원회를 열고, 삼성전자의 투자 및 기술보안 계획 등을 토대로 중국진출 필요성, 기술유출 가능성 등을 종합적으로 검토한 끝에 이 같이 결정했다.

 지경부가 수출신고건을 수리함에 따라 삼성전자는 내년 신규라인 가동을 목표로 부지 선정, 중국 인허가 등을 추진할 것으로 보인다. 생산품목은  MP3, SSD, 핸드폰 등에 사용되는 메모리 카드용 낸드 소자로 올해 상반기 착공한 뒤 내년 하반기부터 12인치 웨이퍼를 매달 10만장 양산할 에정이다.

 낸드 메모리 세계시장은 지난해 248억 달러에 이어 2012년과 2013년에는 각각 285억 달러, 325억 달러, 214년과 2015년에는 326억달러와 354억 달러로 매년 지속적인 성장세가 예상돼 삼성전자의 중국 시장진출이나 경쟁력 등이 강화될 것으로 보인다.

 다만 지경부는 국가핵심기술의 불법유출을 방지하기 위해 삼성전자 측이 기술보호대책을 수립·운영하도록 하고, 정기적으로 운영실태 점검과 보안 컨설팅을 추진할 계획이다.

 삼성전자는 중국 투자시 국산 장비 활용률을 현 수준 이상으로 유지하고, 국내 인력양성을 전략적으로 추진할 계획이다.

 또 대(對) 중국 투자와 함께 국내에서도 화성 단지 외에 평택 단지를 확보, 메모리 분야뿐만 아니라 시스템 반도체 분야 투자도 확대함으로써 향후 국내 반도체 산업을 지속적으로 고도화해 나갈 계획이다.

 지경부 관계자는 "국내 투자축소 가능성 등 국민 경제적 측면에서의 우려사항에 대한 보완대책을 삼성측에 요청했다"며 "이에 대해 삼성전자가 제시한 보완대책을 검토해 일부 사항 추가 요청 및 협의 과정을 거쳐 최종 보완대책을 마련했다"고 전했다.

 앞서 삼성전자는 지난달 6일 스마트 기기 보급 등에 의한 낸드 플래시 메모리의 수요 확대, 중국 시장의 급성장에 따른 현지경영의 필요성 등을 이유로 지경부에 국가핵심기술 수출을 신고했다.

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