SK하닉, 메모리 업계 최초 양산용 '하이 NA EUV' 도입

기존보다 2.9배 높은 집적도 구현

SK하닉, 제품 성능·원가 경쟁력 확보

[이천=뉴시스] 김종택 기자 = 사진은 경기도 이천시 SK하이닉스 본사 모습. 2025.07.24. [email protected]

[서울=뉴시스]이지용 기자 = SK하이닉스는 메모리 업계 최초로 양산용 '하이 뉴메리컬애퍼처(High NA) 극자외선(EUV)' 장비를 이천 M16 팹에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다.

이 장비는 기존 EUV 장비보다 더 큰 NA를 적용해 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비다. 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소 및 집적도 향상에 핵심 역할을 할 것으로 기대되고 있다.

NA는 렌즈가 빛을 얼마나 많이 모을 수 있는지 나타내는 수치로 값이 클수록 더 정밀한 회로 패턴 구현이 가능하다.

이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 김병찬 ASML 코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장·CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다.

반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.

SK하이닉스는 지난 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다.

차선용 SK하이닉스 부사장은 "이번 장비 도입으로 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다"며 "급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다"고 밝혔다.

한편 삼성전자는 지난 3월 '하이 NA EUV' 장비를 도입해 양산을 위한 연구개발을 진행 중이다. 이번에 SK하이닉스가 도입한 장비와는 다른 모델인 것으로 알려졌다.


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