삼성전자, 美 반도체 매출 60조 육박…'HBM 훈풍'에 고속 성장

HBM 판매 확대에 작년 美 매출 상승

순이익은 감소…파운드리 충당 비용 영향

中 메모리 공세에 中 매출은 정체

[서울=뉴시스]삼성전자가 미국 텍사스주 테일러시에 건설하고 있는 반도체 공장. (사진 = 삼성전자) 2025.02.19. [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 삼성전자의 미국 반도체 법인이 지난해 고대역폭메모리(HBM) 등 인공지능(AI) 반도체 판매 확대에 힘입어 두 자릿수 매출 성장을 기록했다.

다만 파운드리(반도체 위탁생산) 사업 적자와 투자 비용 부담이 이어지며 수익성은 개선하지 못했다.

26일 삼성전자 감사보고서에 따르면 삼성전자 미국 반도체 법인(SSI)의 지난해 매출은 59조2787억원으로 전년(46조8735억원) 대비 26.4% 증가했다.

엔비디아, AMD, 구글 등 미국 빅테크를 중심으로 AI 반도체 수요가 급증한 영향이다.

삼성전자는 지난해 엔비디아에 5세대 HBM3E를 본격 공급하기 시작했으며, AMD의 AI 반도체 MI350에 HBM3E 12단 제품을 전량 공급한 것으로 전해진다.

매출은 확대했지만 수익성은 저조했다. SSI의 지난해 순이익은 4384억원으로 전년 7790억원보다 감소했다.

파운드리 사업에서의 구조적 적자와 충당 비용 발생이 영향을 미친 것으로 분석된다.

삼성전자는 지난해 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 "파운드리 충당 비용 발생으로 손익 개선은 제한적이었다"고 말하며 "2나노 게이트올어라운드(GAA) 공정 안정화와 후속 공정 적기 개발을 진행 중"이라고 밝혔다.

미국 텍사스주 테일러 신공장 가동을 앞두고 생산 준비 비용이 대거 투입된 점도 부담으로 작용했다는 평가다.

업계에서는 지난해 파운드리 부문에서 조 단위 적자가 발생한 점 역시 수익성 개선을 제약한 요인으로 보고 있다.

삼성전자의 중국 내 반도체 사업은 정체 흐름을 보였다.

중국 반도체 생산법인(SCS) 시안공장의 지난해 매출은 8조6357억원으로 전년보다 2조5000억원가량 감소했다.

판매법인 SSS 매출도 30조684억원에서 31조9540억원으로 소폭 증가하는 데 그쳤다.

이는 중국 메모리 업체들의 공세가 거세진 영향으로 풀이된다.

중국 D램 1위 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 구형 D램 DDR4를 시장가의 절반 수준에 공급할 정도로 공격적인 것으로 알려졌다.

업계 관계자는 "삼성전자의 미국 매출은 빠르게 늘고 있지만 파운드리의 구조적 적자와 대규모 투자 부담이 여전하다"며 "테일러 공장 가동이 본격화하고 2나노 공정 수율이 안정화해야 수익성 개선이 가시화할 것"이라고 말했다.


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